用电子回旋共振(ECR)等离子体辅助射频溅射沉积法制备快锂离子传导的锂磷氧氮(LiPON)薄膜.X射线光电子能谱、扫描电子显微镜、紫外可见吸收光谱等手段表征了在不同ECR功率辅助下沉积的薄膜.结果显示,ECR等离子体对磁控溅射沉积薄膜的生长有明显的影响,能够提高N的插入量,改变薄膜的组成与结构.但是过高的ECR功率反而易破坏薄膜的结构,不利于N的插入.最佳的实验条件是在ECR 200W辅助下沉积的LiPON薄膜,它的电导率约为8×10-6S/cm.讨论了ECR对沉积LiPON薄膜的N插入机理.
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