锗酸铅晶体枝蔓晶生长的实时观察研究

无机材料学报, 2006, 21(2): 335-338. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2006.02.012

锗酸铅晶体枝蔓晶生长的实时观察研究

洪勇 ^1, , 金蔚青 ^2, , 潘秀红 ^3, , 依田真一 ^4,

1.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050

2.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050

3.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050

4.宇宙航空研究开发机构,日本茨城县

基金项目: 中国科学院资助项目(50331040) 中国科学院知识创新工程项目(KJCXZ-SW-105-03)

关键词：氧化物晶体 , 生长缺陷 , 实时观察 , 枝蔓晶

In Situ Observation of Dendrite in Pb5Ge3O11 Crystal Growth

利用实时观察方法对锗酸铅晶体生长枝蔓晶的生长过程进行了描述和分析.发现,枝蔓晶的产生与杂质相关,杂质作为一个成核中心,在其周围存在一个溶质扩散层,这个溶质扩散层的厚度随着晶体生长而增大.当该扩散层的厚度超过某个临界值时,出现枝蔓晶生长,溶质扩散层的临界厚度约为12μm.枝蔓晶主干的生长速度受分支出现以及主干转向的影响.

参考文献

[1]	Iwasaki H,et al.Appl.Phys.Lett.,1971,18:444-445.
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[10]	吴宪君,徐家跃,金蔚青.人工晶体学报,2004,33(3):350-353.

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