BaTiO3-Nb2O5-Ni2O3三元系统的介电性能研究

无机材料学报, 2006, 21(2): 369-374. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2006.02.018

BaTiO3-Nb2O5-Ni2O3三元系统的介电性能研究

王升 ^1, , 张树人 ^2, , 周晓华 ^3, , 李波 ^4, , 陈祝 ^5,

1.电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054

2.电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054

3.电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054

4.电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054

5.电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054

关键词： BaTiO3 , X8R , 介电性能 , 居里温度

Dielectric Properties of BaTiO3-Nb2O5-Ni2O3 Ternary System

对三元系统BaTiO3-Nb2O5-Ni2O3的微结构和介电性能进行了研究.XRD分析表明Nb2O5/Ni2O3协同掺杂的BaTiOa陶瓷为赝立方相结构;在掺杂1.0 mol%Ni的BaTiO3中,Nb的固溶度＜4.0mol%.SEM观察表明,随Nb掺杂量的增加,BaTiO3陶瓷的晶粒尺寸先增大后减小.BaTiO3陶瓷的室温介电常数、介质损耗,以及在低温端和高温端的电容变化率都随Nb含量的增加而先增大后减小.DSC测量表明,Nb掺杂使BaTiO3陶瓷的居里温度向高温方向移动.该系统瓷料介电性质的变化与材料的晶粒尺寸以及掺杂剂导致的相变温度的移动密切相关.本实验在BaTiO3-Nb2O5-Ni2O3系统中开发出了新型的X8R材料,这种材料很有希望用于制备大容量X8R多层陶瓷电容器.

参考文献

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