采用聚碳硅烷前驱体转化法制备了SiC/CNTs纳米复合材料,采用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、高分辨电子显微镜对样品进行了微观结构分析,并测试了材料在2～18GHz频率范围内的电磁参数.结果表明,当初始聚碳硅烷/二甲苯溶液浓度为10%～15%时,聚碳硅烷前驱体转化法在CNTs表面可以制备SiC包覆层均匀致密的复合一维纳米材料.SiC包覆CNTs一维纳米材料的电磁参数测试表明,其损耗机制以介电损耗为主,当聚碳硅烷含量为15%时,SiC/CNTs纳米复合材料具有最高的介电常数和损耗角,较好的电磁波吸收特性,并表现出复合效应.
参考文献
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