PLD法生长高质量ZnO薄膜及其光电导特性研究

无机材料学报, 2006, 21(3): 701-706. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2006.03.030

PLD法生长高质量ZnO薄膜及其光电导特性研究

边继明 ^1, , 李效民 ^2, , 赵俊亮 ^3, , 于伟东 ^4,

1.中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海200050;中国科学院研究生院,北京,100049

2.中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海200050

3.中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海200050;中国科学院研究生院,北京,100049

4.中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海200050

基金项目: 光电信息功能材料重点项目(90401010) 上海市科技发展基金(046105009)

关键词： ZnO薄膜 , 脉冲激光沉积 , 光电导紫外探测器 , 光电响应机理

Growth of High Quality ZnO Films by Pulsed Laser Deposition and Its Photoresponsivity Characteristics

采用脉冲激光沉积(PLD)法在单晶Si(100)衬底上生长ZnO薄膜,以X射线衍射(XRD)和场发射扫描电镜(SEM)等手段分析了所得ZnO薄膜的晶体结构和微观形貌.结果表明,随着衬底温度和薄膜生长时氧分压的增加,ZnO薄膜的晶体结构和化学计量比得到显著改善.优化工艺(700℃,20Pa)下生长的ZnO薄膜呈c轴高度择优取向,柱状晶垂直衬底表面生长,结构致密均匀.以不同暗电阻的ZnO薄膜为材料,利用剥离(lift-off)技术制备了MSM结构ZnO光电导型紫外探测器.紫外光照射前后的I-V特性测试表明ZnO薄膜产生非常明显的光电导现象,分析了其光电响应机理.

参考文献

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