Tm:YAP晶体生长及光谱特性研究

无机材料学报, 2006, 21(4): 838-842. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2006.04.013

Tm:YAP晶体生长及光谱特性研究

陆燕玲 ^1, , 王俊 ^2, , 杨扬 ^3, , 李胜华 ^4, , 孙宝德 ^5, , 袁清习 ^6,

1.上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室,上海,200030

2.上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室,上海,200030

3.上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室,上海,200030

4.上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室,上海,200030

5.上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室,上海,200030

6.中国科学院北京高能物理研究所,北京,100039

关键词： Tm:YAP晶体 , 提拉法 , 分凝系数 , 光谱特性

Czochralski Growth and Spectral Characteristics of Tm:YAP Single Crystals

采用提拉法生长了掺杂浓度分别为4、8与10at%的Tm:YAP晶体.测定了Tm3+在YAP基质中的分凝系数为0.88.采用同步辐射的方法研究了Tm:YAP晶体的生长条纹和结构应力缺陷.晶体的吸收峰位于694和795nm;荧光谱峰值在2.0μm附近,因此Tm:YAP晶体有望成为一种新型的适合LD泵浦的中红外激光材料.

参考文献

[1]	Elder I F,Payne M J P.Optics Communications,1998,145:329-339.
[2]	Elder I F,Payne M J P.Optics Communications,1998,148:265-269.
[3]	陆燕玲,王俊,孙宝德(LU Yan-Ling,et al).无机材料学报(Journal of Inorganic Materials),2005,20(3):513-521.
[4]	李敢生,施真珠,陈莹,等(LI Gan-Sheng,et al).人工晶体学报(Journal of Synthetic Crystals),1987,16(1):33-37.
[5]	孙宝德,陆燕玲,王俊,等.中国,发明专利,公开号:1560329,2005-01-05.
[6]	张克从,张乐潓.晶体生长科学与技术(上册).北京:冶金工业出版社,1997.44-45.
[7]	Neuroth G,Wallrafen F.J.Crystal Growth,1999,198/199:435-439.
[8]	中国科学院上海光机所晶体组.激光(J.Lasers),1978,5(3):37-43.

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