CVI制备Si3N4p/Si3N4透波材料表征与性能

无机材料学报, 2006, 21(4): 979-985. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2006.04.035

CVI制备Si3N4p/Si3N4透波材料表征与性能

刘谊 ^1, , 刘永胜 ^2, , 张立同 ^3, , 成来飞 ^4, , 徐永东 ^5,

1.西北工业大学超高温结构复合材料国防科技重点实验室,西安,710072

2.西北工业大学超高温结构复合材料国防科技重点实验室,西安,710072

3.西北工业大学超高温结构复合材料国防科技重点实验室,西安,710072

4.西北工业大学超高温结构复合材料国防科技重点实验室,西安,710072

5.西北工业大学超高温结构复合材料国防科技重点实验室,西安,710072

基金项目: 西北工业大学校科研和教改项目(CX200505) 国家自然科学基金(90405015)

关键词： Si3N4P/Si3N4透波材料 , 化学气相渗透(CVI) , 弯曲强度 , 介电常数

Characterization and Properties of Si3N4p/Si3N4 Radome Material Prepared by Chemical Vapor Infiltration

以SiCl4-NH3-H2为反应体系,采用化学气相渗透(CVI)法制备Si3N4P/Si3N4透波材料.XRF测试表明试样主要含Si、N、O三种元素.XRD测试表明复合材料主要成分为α-Si3N4和非晶沉积物和非晶SiO2,并有微量的β-Si3N4和晶体Si,高温热处理可使非晶沉积物转变为α-Si3N4和β-Si3N4.SEM照片显示颗粒团间结合不够致密,残留气孔偏大.试样的弯曲强度最高为94MPa,介电常数为4.1～4.8.

参考文献

[1]	Barta J,Manela M,Fische R.Materials Science and Engineering,1985,71:265-272.
[2]	Chen Dianying,Zhang Baolin,Zhuang Hanrui,et al.Ceramics International,2003,29:363-364.
[3]	Yang Jianfeng,Deng Zhenyan,Ohji Tatsuki.Journal of the European Ceramic Society,2003,23:371-378.
[4]	Walton J D,JR.American Ceramic Society Bulletin,1974,53 (2):255-258.
[5]	Fitzer Erich,Hegen Dieter.Angewandte Chemie International,2003,18 (4):295-304.
[6]	Richard D.Veltri,Francis S.Galasso.Journal of American Ceramic Society,1990,73 (7):2137-2140.
[7]	Hoyt Joel T,Yang J M.SAMPE Journal,1991,21 (2):11-17.
[8]	刘永胜,成来飞,张立同,等(LIU Yong-Sheng,et al).无机材料学报(Journal of Inorginc Materials),2005,20(5):1208-1214.
[9]	Doi H,Kikuchi N,Oosawa Y.Materials Science and Engineering,1988,105-106 (2):465-480.
[10]	Niihara Koichi,Hirai Toshio.Journal of Materials Science,1976,11 (4):604-611.
[11]	王涛,张立德.科学通报,1994,39(11):983-985.
[12]	郭文利,徐廷献,李爱华(Guo wenli,et al).硅酸盐学报(Journal of the Chinese Ceramic Society),2003,31(7):698-701.
[13]	Gilde Gary,Patel Parimal,Clifford Hubbard,et al.SION low dielectric constant ceramic nanocomposite.United States Patent,501/96.5,5677252.Oct.14,1997.
[14]	Dodds Gerald C,Tanzilli,Richard A.Silica,boron nitride,aluminum nitride,alumina composite,article and method of making same.United States Patent,501/96.1,5891815.Apr.6,1999.
[15]	Talmy Inna G,Martin Curtis A,Haught Deborah A,et al.Electromagnetic window.United States Patent,501/95.3,5573986.Nov.12,1996.

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网

CVI制备Si3N4p/Si3N4透波材料表征与性能

Characterization and Properties of Si3N4p/Si3N4 Radome Material Prepared by Chemical Vapor Infiltration

参考文献