准同型相界(MPB)附近BS-PT高温压电陶瓷研究

无机材料学报, 2006, 21(5): 1127-1133. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2006.05.017

准同型相界(MPB)附近BS-PT高温压电陶瓷研究

冯亚军 ^1, , 徐卓 ^2, , 李振荣 ^3, , 张麟 ^4, , 姚熹 ^5,

1.西安交通大学电子陶瓷与器件教育部重点实验室,西安,710049

2.西安交通大学电子陶瓷与器件教育部重点实验室,西安,710049

3.西安交通大学电子陶瓷与器件教育部重点实验室,西安,710049

4.西安交通大学电子陶瓷与器件教育部重点实验室,西安,710049

5.西安交通大学电子陶瓷与器件教育部重点实验室,西安,710049

基金项目: 教育部科学技术研究项目(03155) 国家重点基础研究发展计划(973计划)(2002CB613307) 国家自然科学基金(50472052)

关键词： BS-PT , 准同型相界 , 高居里温度 , 压电陶瓷

High Temperature Piezoelectric Ceramics (1-x)BiScO3-xPbTiO3 Near the Morphotropic Phase Boundary (MPB)

(1-x)BiScO3-xPbTiO3陶瓷(简记BS-PT)在x=64.0%附近存在一个从菱方晶系过渡到四方晶系的准同型相界,在此相界附近材料能获得优良的介电和压电性能.本文选取PbTiO3含量在64.0%～65.5%的准同型相界附近的材料组分,利用传统的固相烧结反应法合成了纯钙钛矿相结构的BS-PT陶瓷,通过对材料的相结构形成过程和内部形貌分析以及对介电、压电性能的研究,发现在x=64.5%的组分条件下,BS-PT陶瓷材料获得了准同型相界范围内的最优的压电性能,其室温压电常数d33可达500pC/N,且居里温度(Tc)达到了438℃,剩余极化强度和电致应变分别为44μC/cm2和3.5‰.研究表明,准同型相界附近的BS-PT陶瓷是一种优良的压电换能器和传感器材料.

参考文献

[1]	Eitel R E,Randall C A,Shrout T R,et al.Jpn.J.Appl.Phys.,2002,41:2099-2104.
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[4]	Randall C A,Eitel R E,Shrout T R.J.Appl.Phys.,2003,93 (11):9271-9274.
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[6]	万向红,张绪礼,王莜珍.压电与声光,1996,18(2):126-135.

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