采用表面改性法制备了SiO2负载的复合半导体材料NiO-V2O5.用BET、TPR、XRD、Raman、TEM、IR和UV-Vis DRS技术对固体材料的结构和光吸收性能进行了表征.结果表明V2O5在载体表面以微晶形式存在,粒径约为10nm,NiO和V2O5复合后部分形成了Ni2+-O-V5+键联,而且NiO和V2O5在固体材料表面有相互修饰作用.NiO的加入有助于提高V2O5在载体SiO2表面的分散程度,抑制V2O5的聚合,减小微晶尺寸,而且可以增强固体材料的光吸收性能,提高复合半导体对光能的利用率.
参考文献
| [1] | Anpo M,Sunamoto M,Che M.J.Phys.Chem.,1989,93 (4):1187-1189. |
| [2] | Patterson H H,Cheng J,Despres S,et al.J.Phys.Chem.,1991,95 (22):8813-8818. |
| [3] | Anpo M,Tanahashi I,Kubokawa Y.J.Phys.Chem.,1980,84 (25):3440-3443. |
| [4] | 成英子,张源明,唐渝.催化学报,2001,22(2):203-205. |
| [5] | 钟顺和,黎汉生,王建伟.物理化学学报,2000,16(3):226-231. |
| [6] | 赵春,钟顺和.无机化学学报,2004,20(9):1131-1136. |
| [7] | 陈崧哲,钟顺和.高等学校化学学报,2003,24(1):135-139. |
| [8] | 邵宇,钟顺和.燃料化学学报,1998,26(1):71-74. |
| [9] | Dias C R,Portela M F,Bond G C.J.Catal,1995,157 (2):344-352. |
| [10] | Monaci R,Rombi E,Solinas V,et al.Appl.Catal.,A,2001,214 (2):203-212. |
| [11] | Dias C R,Portela M F,Banres M A,et al.Appl.Catal.,A,2002,224 (1-2):1-10. |
| [12] | 邵怀启,钟顺和.分子催化,2004,18(2):87-92. |
| [13] | Blasco T,Concepcion P,Nieto J M L.J.Catal.,1995,152 (1):1-17. |
| [14] | Ferreira R S G,De Oliveira P G P,Noronha F B.Appl.Catal.,B,2001,29 (4):275-283. |
| [15] | Anderson C,Bard A J.J.Phys.Chem.,B,1997,101 (14):2611-2616. |
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