掺硼四面体非晶碳膜的微观结构及光谱表征

无机材料学报, 2008, 23(1): 180-184. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2008.01.035

掺硼四面体非晶碳膜的微观结构及光谱表征

张化宇 ^1, , 檀满林 ^2, , 韩杰才 ^3, , 朱嘉琦 ^4, , 贾泽纯 ^5,

1.哈尔滨工业大学,深圳研究生院,深圳,518055

2.哈尔滨工业大学,深圳研究生院,深圳,518055

3.哈尔滨工业大学,深圳研究生院,深圳,518055;哈尔滨工业大学,复合材料与结构研究所,哈尔滨,150001

4.哈尔滨工业大学,复合材料与结构研究所,哈尔滨,150001

5.哈尔滨工业大学,复合材料与结构研究所,哈尔滨,150001

基金项目: 国家自然科学基金(50602012)

关键词：四面体非晶碳(ta-C) , XPS , Raman光谱

Spectroscopic Characterization of Boron Doped Tetrahedral Amorphous Carbon

分别采用过滤阴极真空电弧技术制备了不同含硼量四面体非晶碳(ta-C:B)膜,并用X射线光电子能谱(XPS)、Raman光谱对薄膜的微观结构和化学键态进行了研究.XPS分析表明薄膜中B主要以石墨结构形式存在,随着B含量的增加,sp3杂化碳的含量逐渐减小,Ta-C:B膜的Raman谱线在含硼量较高时,其D峰和G峰向低频区偏移,且G峰的半峰宽变窄,表明B的引入促进了sp2杂化碳的团簇化,减小了原子价键之间的变形,从而降低了薄膜的内应力.

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