采用顶部热籽晶技术和"二步冷却"生长工艺,在空气中制备了Gd-Ba-Cu-O、(SmGd)-Ba-Cu-O和(SmEuGd)-Ba-Cu-O三种体系的单畴熔融织构样品,并研究了Ar气氛退火(ArPA)对所制备的单畴样品超导性能的影响.结果表明,三种体系的单畴样品77K下的俘获场分布均呈中心对称的圆锥形,其中SEG样品的冻结场达到0.34T(φ18mm),与OCMG工艺制备的相同尺寸的样品处在同一水平. Ar气氛退火对三种体系单畴样品超导性能的影响不同:对Gd-Ba-Cu-O体系,ArPA不能进一步提高单畴样品的临界电流密度;而对(SmGd)-Ba-Cu-O和(SmEuGd)-Ba-Cu-O体系,合适温度下的ArPA可以大幅度提高样品的超导性能.
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