CuSCN薄膜的室温液相沉积及其光学性能

无机材料学报, 2008, 23(3): 535-539. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2008.03.023

CuSCN薄膜的室温液相沉积及其光学性能

高相东 ^1, , 李效民 ^2, , 于伟东 ^3, , 邱继军 ^4, , 甘小燕 ^5,

1.中国科学院,上海硅酸盐研究所,高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海,200050

2.中国科学院,上海硅酸盐研究所,高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海,200050

3.中国科学院,上海硅酸盐研究所,高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海,200050

4.中国科学院,上海硅酸盐研究所,高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海,200050

5.中国科学院,上海硅酸盐研究所,高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海,200050

基金项目: 上海市应用材料研究与发展项目(06SA07) 上海市自然科学基金(05ZR14132) 国家自然科学基金(50502038)

关键词： CuSCN , 薄膜 , 连续离子层吸附与反应 , SILAR , 光学性能

CuSCN Thin Film Deposited from Solutions at Room Temperature and its Optical Properties

采用连续离子层吸附与反应(SILAR)方法,在室温液相条件下(20～25℃)制备了沉积于玻璃衬底上的CuSCN半导体薄膜,以X射线衍射、扫描电镜、光学透过谱考察了所得薄膜的晶体结构、微观表面断面形貌和光学性能,探讨了影响CuSCN薄膜沉积的关键因素.结果表明,所得薄膜具有明显结晶性及沿c轴择优生长趋势,表面致密、均匀,分别由50～100nm的较大颗粒和20～30nm的小颗粒紧密堆聚而成;薄膜在400～800nm波段的透过率为50%～70%,光学禁带宽度为3.94eV.CuSCN薄膜的沉积过程受铜前驱液中S2O32-与Cu2+的摩尔比、衬底漂洗方式和生长温度等因素影响显著,高络离子浓度、多次沉积反应后再进行衬底漂洗、以及室温生长条件有利于得到高质量的CuSCN薄膜.

参考文献

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