电泳沉积法制备Ba0.6Sr0.4TiO3厚膜及其电学性能研究

无机材料学报, 2008, 23(4): 687-690. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2008.04.010

电泳沉积法制备Ba0.6Sr0.4TiO3厚膜及其电学性能研究

符云飞 ^1, , 樊慧庆 ^2, , 邓永丽 ^3, , 陈晋 ^4,

1.西北工业大学材料学院,凝固技术国家重点实验室,西安710072

2.西北工业大学材料学院,凝固技术国家重点实验室,西安710072

3.西北工业大学材料学院,凝固技术国家重点实验室,西安710072

4.西北工业大学材料学院,凝固技术国家重点实验室,西安710072

基金项目: 国家自然科学基金(50672075) 航空基础科学基金(2006ZF53068) 西北工业大学校科研和教改项目

关键词： BST厚膜 , 电泳沉积 , 调谐率 , 电滞回线

Preparation and Electrical Properties of BST Thick Film Deposited by Electrophoretic Deposition Method

采用电泳沉积法在Pt/Ti/SiO2/Si基底上制备了厚度为33μm的Ba0.6Sr0.4TiO3(BST40)厚膜,研究了其介电调谐特性、漏电流特性和铁电特性.实验结果表明:采用水热法制备纳米BST40粒子,经250MPa高压压制,950°C热处理后,BST40厚膜可形成完整的立方钙钛矿结构且表面致密、无裂纹. ε-V特性表明,1kHz时厚膜调谐率可达59.2%.Ⅰ-Ⅴ特性表明,当电压从-25～25V变化时,漏导电流100μA/cm2.测量了在1kHz,不同温度下厚膜的电滞回线.在0°C时,其剩余极化强度为1.06μC/cm2.

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Preparation and Electrical Properties of BST Thick Film Deposited by Electrophoretic Deposition Method

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