采用真空热蒸发法制备了CsI(Tl)薄膜,然后进行了不同温度的真空热处理.用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、X射线荧光光谱仪及正电子寿命谱仪对CsI(Tl)薄膜样品进行了分析,并测得了样品的光产额.结果表明,该CsI(Tl)薄膜沿(200)晶而择优取向生长.经过较低温度退火,CsI薄膜中的Tl+离子向薄膜表面扩散,薄膜中缺陷数量增加,且尺寸较大,光产额略微增高.经过250°C退火,薄膜中低温退火所形成缺陷得到恢复,薄膜缺陷尺寸变小,且数目减少,具有较好的结晶状态,光产额提高.经过400°C退火,薄膜结构发生显著变化,薄膜中缺陷大幅增加,结晶状态变差, Ti+含量减少,光产额急剧下降.
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