脉冲激光沉积(La0.2Bi0.8FeO3)0.8-(NiFe2O4)0.2薄膜及其多铁性能研究

无机材料学报, 2008, 23(5): 897-901. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2008.05.007

脉冲激光沉积(La0.2Bi0.8FeO3)0.8-(NiFe2O4)0.2薄膜及其多铁性能研究

李享成 ^1, , 杨光 ^2, , 戴能利 ^3, , 陈爱平 ^4, , 龙华 ^5, , 姚凯伦 ^6, , 陆培祥 ^7,

1.华中科技大学,武汉光电国家实验室激光科学与技术研究部武,物理系,武汉,430074;武汉科技大学,高温陶瓷与耐火材料湖北省重点实验室,武汉,430081

2.华中科技大学,武汉光电国家实验室激光科学与技术研究部武,物理系,武汉,430074

3.华中科技大学,武汉光电国家实验室激光科学与技术研究部武,物理系,武汉,430074

4.华中科技大学,武汉光电国家实验室激光科学与技术研究部武,物理系,武汉,430074

5.华中科技大学,武汉光电国家实验室激光科学与技术研究部武,物理系,武汉,430074

6.华中科技大学,物理系,武汉,430074

7.华中科技大学,武汉光电国家实验室激光科学与技术研究部武,物理系,武汉,430074

基金项目: 教育部高等学校博士学科点专项科研基金(20060487006) 国家自然科学基金(10604018)

关键词：多铁薄膜 , 外延生长 , 脉冲激光沉积 , 漏电流

Multiferroic Properties of(La0.2Bi0.8FeO3)0.8-(NiFe2O4)0.2 Films Grown by Pulse Laser Deposition

采用脉冲激光沉积法,在(100)SrTiO3基底上,制备了(La0.2Bi0.8FeO3)0.8-(NiFe2O4)0.2(LBFO-NFO)多铁薄膜,通过X射线衍射仪和场发射扫描电子显微镜确定了LBFO-NFO多铁薄膜的显微结构,通过标准铁电测试系统(RT-66A)和振动样品磁强计(VSM)分别测试了LBFO-NFO多铁薄膜的铁电性能和铁磁性能.研究发现:多铁薄膜中LBFO和NFO二相均沿(100)方向外延生长,晶粒尺寸在100-150nm之间;薄膜具有明显的电滞回线(Ps=7.6μC/cm2)和磁滞回线(Ms=4.12×104A/m),显示出明显的铁电铁磁共存特性.通过对薄膜生长条件的控制,可削除杂质相,减小LBFO-NFO薄膜的漏电流,提高铁电及铁磁性能.

参考文献

[1]	Zheng H,Wang J,Lofland S E,et al.Science,2004,303(5658):661-663.
[2]	Wang J,Neaton J B,Zheng H,et al.Science,2003,299(5613):1719-1722.
[3]	Spaldin N A,Fiebig M.Science,2005,309(5733):391-392.
[4]	Zhao T,Scholl A,Zavaliche F,et al.Nat.Mater.,2006,5(10):823-829.
[5]	Eerenstein W,Mathur N D,Scott J F.Nature,2006,442(7104):759-765.
[6]	Hur N,Park S,Sharma P A,et al.Nature,2004,429(6990):392-395.
[7]	Kimura T,Kawamoto S,Yamada I,et al.Phys.Rev.B,2003,67(18):180401-1-4.
[8]	Nan C W,Cai N,Liu L,et al.J.Appl.Phys.,2003,94(9):5930-5936.
[9]	周剑平,施展,刘刚,等(ZHOU Jian-Ping,et al).物理学报(Acta.Phys.Sin.),2006,55(7):3266-3269.
[10]	Zavaliche F,Zhao T,Zheng H,et al.Nano Left.,2007,7(6):1586-1590.
[11]	Liu M,Li X,Imrane H,et al.Appl.Phys.Left.,2007,90(15):152501-1-3.
[12]	Wang Y,Jiang Q H,He H C,et al.Appl.Phys.Left.,2006,88(14):142503-1-3.
[13]	Singh S K,Kim Y K,Funakubo H,et al.Appl.Phys.Lett.,2006,88(16):162904-1-3.
[14]	Zavaliche F,Shafer P,Ramesh R.Appl.Phys.Lett.,2005,87(25):252902-1-3.
[15]	Das S R,Choudhary R N P,Bhattacharya P,et al,J.Appl.Phys.,2007,101(3):034104-1-7.
[16]	Chung F H.J.Appl.Cryst.,1974,7(6):519-525.
[17]	Bea H,Bibes M,Barthdldmy A,et al.Appl.Phys.Lett.,2005,87(7):072508-1-3.
[18]	Zavaliche F,Das R R,Kim D M,et al.Appl.Phys.Lett.,2005,87(18):182912-1-3.
[19]	Lee Y H,Wu J M,Lai C H.Appl.Phys.Lett.,2006,88(4):042903-1-3.
[20]	Palkar V R,John J,Pinto R.Appl.Phys.Left.,2002,80(9):1628-1630.
[21]	Ruette B,Zvyagin S,Pyatakov A P,et al.Phys.Rev.B,2004,69(6):064114-1-7.
[22]	Liiders U,Bibes M,Bobo J F,et al,Phys.Rev.B,2005,71(13):134419-1-7.
[23]	Li X C,Rong Z G,Feng Z K,et al.J.Am.Ceram.Soc.,2006,89(4):1450-1452.
[24]	Naganuma H,Okamura S.J.Appl.Phys.,2007,101(9):09M103-1-3.

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网