环氧基片溅射钛副族氧化物薄膜的脉冲真空闪络特性

无机材料学报, 2008, 23(5): 907-911. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2008.05.009

环氧基片溅射钛副族氧化物薄膜的脉冲真空闪络特性

陈玉 ^1, , 成永红 ^2, , 王增彬 ^3, , 周稼斌 ^4, , 阴玮 ^5, , 吴锴 ^6,

1.西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室,西安,710049

2.西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室,西安,710049

3.西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室,西安,710049

4.西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室,西安,710049

5.西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室,西安,710049

6.西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室,西安,710049

基金项目: 国家自然科学基金(50437030)

关键词：环氧基片 , 钛副族 , 氧化物薄膜 , 纳秒脉冲 , 真空闪络

Flashover Characteristic of Ti Sub-group Metal Oxide Thin Films on Epoxy Substrate under Nanosecond Pulse in Vacuum

在绝缘材料表面制备半导电性及高导热系数的涂层可以明显提高材料的沿面闪络性能.采用高真空反应磁控溅射方法,在环氧基片表面溅射TiO2、ZrO2,HfO2薄膜,使用快脉冲真空闪络实验装置(50ns/600ns,前沿和半高宽时间),在真空度5×10-3Pa时,研究了上述三种氧化物薄膜的真空闪络特性.实验发现,TiO2和ZrO2薄膜以无定形态存在,表面颗粒未晶化,而HfO2薄膜已经晶化. TiO2薄膜的闪络电压最高,HfO2薄膜较低.TiO2和HfO2随着溅射时间的增加,镀膜的真空闪络电压有所提高,而ZrO2随着溅射时间的增加,镀膜的真空闪络电压有所下降.结合ANSOFT静电场仿真数据,分析了薄膜的基本特性对闪络后表面电位分布及闪络电压的影响机制.

参考文献

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