化学气相沉积SiC膜{111}取向生长的原子尺度模拟

无机材料学报, 2008, 23(5): 933-937. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2008.05.014

化学气相沉积SiC膜{111}取向生长的原子尺度模拟

刘翠霞 ^1, , 杨延清 ^2, , 黄斌 ^3, , 张荣军 ^4, , 罗贤 ^5, , 任晓霞 ^6,

1.西北工业大学,材料学院,凝固技术国家重点实验室,西安,710072

2.西北工业大学,材料学院,凝固技术国家重点实验室,西安,710072

3.西北工业大学,材料学院,凝固技术国家重点实验室,西安,710072

4.西北工业大学,材料学院,凝固技术国家重点实验室,西安,710072

5.西北工业大学,材料学院,凝固技术国家重点实验室,西安,710072

6.西北工业大学,材料学院,凝固技术国家重点实验室,西安,710072

基金项目: 国家自然科学基金(50371069) 航空基础科学基金(04G53044) 高等学校博士学科点专项科研项目(20030699013)

关键词：化学气相沉积 , SiC膜 , 动力学Monte , Carlo模拟 , 表面粗糙度 , 相对密度

Atomic Scale Simulation of[111]-Oriented SiC Film Growth by Chemical Vapor Deposition Method

在化学气相沉积SiC膜过程中,分别考虑了化学反应的动力学以及基底表面原子的沉积与扩散,利用动力学蒙特卡罗方法,建立了SiC膜[111]取向的三维原子尺度模型,使用MATLAB模拟了原子尺度的SiC膜[111]取向生长过程.模拟结果表明:膜的生长经历了小岛的生成、小岛的合并与扩展、小岛间达到动态平衡三个阶段.随着温度的升高,膜的生长速率、表面粗糙度以及膜的厚度都增大.随着生长速率的增大,表面粗糙度增大,相对密度减小.模拟结果与理论和实验具有较好的吻合性.

参考文献

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