衬底温度对Si(111)衬底上MBE异质外延3C-SiC薄膜的影响

无机材料学报, 2007, 22(4): 720-724. doi: 10.3321/j.issn:1000-324x.2007.04.030

衬底温度对Si(111)衬底上MBE异质外延3C-SiC薄膜的影响

刘金锋 ^1, , 刘忠良 ^2, , 武煜宇 ^3, , 徐彭寿 ^4, , 汤洪高 ^5,

1.中国科学技术大学,国家同步辐射实验室,合肥,230029

2.中国科学技术大学,国家同步辐射实验室,合肥,230029

3.中国科学技术大学,国家同步辐射实验室,合肥,230029

4.中国科学技术大学,国家同步辐射实验室,合肥,230029

5.中国科学技术大学,材料系,合肥,230026

基金项目: 国家自然科学基金(50572100) 中国科学院知识创新工程项目

关键词：碳化硅薄膜 , 硅衬底 , 固源分子束外延 , 衬底温度

Effects of Substrate Temperature on Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC Thin Films by MBE on Si(111) Substrate

利用固源分子束外延(SSMBE)技术,在Si(111)衬底上异质外延生长3G-SiC单晶薄膜,通过RHEED、XRD、AFM、XPS等实验方法研究了衬底温度对薄膜结构、形貌和化学组分的影响.研究结果表明,1000℃生长的样品具有好的结晶质量和单晶性.在更高的衬底温度下生长,会导致大的孔洞形成,衬底和薄膜间大的热失配使降温过程中薄膜内形成更多位错,从而使晶体质量变差.在低衬底温度下生长,由于偏离理想的化学配比也会导致薄膜的晶体质量降低.

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Effects of Substrate Temperature on Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC Thin Films by MBE on Si(111) Substrate

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