Si-TaSi2共晶自生复合场发射材料的定向凝固组织特征

无机材料学报, 2007, 22(5): 1019-1023. doi: 10.3321/j.issn:1000-324x.2007.05.048

Si-TaSi2共晶自生复合场发射材料的定向凝固组织特征

崔春娟 ^1, , 张军 ^2, , 苏海军 ^3, , 王红 ^4, , 刘林 ^5, , 傅恒志 ^6,

1.西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,西安,710072

2.西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,西安,710072

3.西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,西安,710072

4.西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,西安,710072

5.西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,西安,710072

6.西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,西安,710072

基金项目: 国家自然科学基金(50102004) 航空基础科学基金(04G53048)

关键词：定向凝固 , 电子束悬浮区熔 , Si-TaSi2共晶自生复合材料 , 固-液界面

Microstructures of Directionally Solidified Si-TaSi2 Eutectic in situ Composite for Field Emission

采用电子束悬浮区熔装置(EBFZM)制备了Si-TaSi2共晶自生复合场发射材料,系统地研究了Si-TaSi2共晶的定向凝固组织特征.当凝固速率在0.3～9.0 mm/min范围内变化时,均可获得Si-TaSi2共晶自生复合材料,具有高精确取向的TaSi2纤维在硅连续基体中均匀分布.随着凝固速率的增大,TaSi2纤维的直径和平均间距减小,面密度和体积分数增大.采用零功率法考察了不同凝固速率时的固-液界面形貌.当凝固速率由0.3mm/min变化到5.0mm/min时,固-液界面经历了平界面→浅胞状界面→胞状界面→平界面的演化过程.

参考文献

[1]	Spindt C A.J.Appl.Phys.,1968,39:3504-3505.
[2]	Kang S Y,Lee J H,Song Y H,et al.J.Vac.Sci.Technol.B,1998,16 (2):871-874.
[3]	Jayatissa A H.J.Vac.Sci.Technol.B,1999,17:237-240.
[4]	应根裕,胡文波,邱勇,等.平板显示技术,第一版.北京:人民邮电出版社,2002.426-428.
[5]	秦玉香,胡明,李海燕,等(QIN Yu-Xiang,et al).无机材料学报(Journal of Inorganic Materials),2006,21(2):277-283.
[6]	张振华,彭景翠,陈小华(ZHANG Zhen-Hua,et al).无机材科学报(Journal of Inorganic Materials),2004,19(2):257-267.
[7]	刘卫东.半导体技术,1994,4(2):1-4.
[8]	Ditchek B M,Hefter J,Middleton T R.J.Crystal Growth,1990.401-412.
[9]	Ditchek B M,Levinson M.Appl.Phys.Lett.,1986,49(24):1656-1658.
[10]	Kirkpatrick D A.Printer and/or copier using a field emission array.US Patent,US5903804,1999-05-11.
[11]	Zhang J,Cui C J,Han M,et al.J.Crystal Growth,2005,276:92-96.
[12]	Zhang J,Liu Y H,Li J G,et al.J.Mater.Sci.,1999,34:2507-2511.
[13]	Yacobi B G,Ditchek B M.Appl.Phys.Lett.,1987,50:1083-1085.
[14]	Elliott R.Eutectic solidification processing of Crystalline and Glassy.Alloys.London:Butterworths & Co,1983.
[15]	David R L.CRC handbook of chemistry and physics.Tokyo:CRC Press,1989.
[16]	Meschel S V,Kleppa O J.Journal of Alloys and Compounds,1998,280:231-239.
[17]	Dynys F W,Sayir A.Journal of European Ceramic Society,2005,25:1293-1299.
[18]	Jian Z Y,Kuribayashi Kazuhiko,Jie W Q.Acta Materialia,2004,52:3323-3333.
[19]	Yu J J,Zhang J,Wang F,et al.Materials Science and Engineering A,2001,311:200-204.
[20]	Rios C T,Ferrandini P L,Milenkovic S,et al.Materials Characterization,2005,54:187-199.
[21]	Cadirh E,Kaya H,Gündüz M.Materials Research Bulletin,2003,38:1457-1476.
[22]	Toloui B,Hellawel A.Acta Metall,1976,24:565-573.
[23]	Li S,Zhao S,Pan M,et al.Mater.Trans.JIM,1997,38:553-559.
[24]	刘永才,Brandon Simon.人工晶体学报,1999,28:8-16.
[25]	刘艳红.中国民航学院,2001,19:39-42.
[26]	Ditchek B M,Middleton T R,Beatty K M,et al.The Metallurgical society,1988.121-129.
[27]	Fabietti L M,Trivedi R.J.Crystal Growth,1997,182:185-197.
[28]	Flood S C,Hunt J D.Journal of Metal Sci.,1981,15:287-294.
[29]	廖恒成,孙国维.铸造,2003,52:1127-1129.
[30]	Inui H,Moriwaki M,Yamaguchi M.Intermetallic,1998,6:723-728.
[31]	Sato T,Sayama Y.J.Crystal Growth,1974,22:259-271.
[32]	Mullins W W,Sekerka R F.J.Appl.Phys.,1964,35:444-451.

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网