研究了Si/C/N纳米晶须的制备、组成和微波介电性能.利用CVD法制备了化学组成一定的纳米Si/C/N晶须,XRD研究发现晶须的物相主要为β-SiC.热重分析表明该晶须在700 ℃以上开始氧化,具有较好的抗氧化性.测定了Si/C/N晶须的复介电常数与作用频率的关系,并计算了介电损耗角正切.依据介电性能数据,分别设计了单层和双层吸波材料,对所设计材料的吸波性能进行了计算.对Si/C/N纳米晶须的吸波机理进行了初步的探讨.
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