用粉体制备和高温熔凝工艺在n＜111＞型单晶硅基片上制备了非晶态SiO2-ZnO-B2O3复合膜驻极体,实现对SiO2薄膜驻极体的改性恒栅压电晕充电、等温表面电位衰减及热刺激放电(thermally stimulated discharged,TSD)实验表明,B3+、Zn2+的掺杂对SiO2薄膜驻极体的电荷动态特性有较大影响:TSD放电电流峰稳定于t=238℃处,峰位不随充电温度和充电电压变化;正、负TSD电流谱关于温度轴对称.用离子掺杂可以有效地改变SiO2薄膜驻极体内的微观网络结构,影响其电荷贮存性能.
参考文献
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