利用固体与分子经验电子理论(EET理论)计算了PtSi的价电子结构,并利用X射线光电子谱(XPS)分析了PtSi薄膜中阶电子的能谱.结果表明,Pt和Si化合形成PtSi以后,Si和Pt的杂阶均向较低杂阶方向移动,化合物中含有较高密度的晶格电子,使PtSi具有良好的导电性.X射线光电子谱测试结果表明,PtSi中价电子的能谱向高结合能方向移动,Pt的5d电子是化合物中重要的成键电子.
参考文献
[1] | L.Gregoratti, S.Gunther, J.Kovac, L.Casalis, M.Kisknova, Phys.Rev.B, 57(12), R6799(1998) |
[2] | S.B.Herner, H.J.Gossmann, R.T.Tung, Appl. Phys. Lett., 72(18), 2289(1998) |
[3] | E.P. Domashevskaya, Y.A.Yurakov, V.M.kashkarov, Thin Solid Films, 298, 135(1998) |
[4] | D.K.Sarkar, S.Bera, S.Dhara, K.G.M.Nair, S.V.Narasimhan, S.Chowdhury, Applied Surface Science, 120,159(1997) |
[5] | P.S.Ho, G.W.Rubloff, Thin solid Films, 89, 433(1982) |
[6] | P.S.Ho, G.W.Rubloff, J.E.Lewis, V.L.Moruzzi, A.R.Williams, Phys. Rev. B., 22(10), 4784(1980) |
[7] | 余瑞璜,科学通报,23(4),217(1978) |
[8] | 张瑞林,固体与分子经验电子理论(长春,吉林科学技术出版社,1993)p.230~240,166,470~481 |
[9] | Yongquan Guo, Ruihuang Yu, Ruilin Zhang, Xinhui Zhang, Kun Tao, J.Phys. Chem. B, 102, 9(1998) |
[10] | 钟风兰,科学通报,40(20),1845(1995) |
[11] | H.Kawarada, M.Ishida, J.Nakanishi, I.Ohdomari, Philosophical MagazineA., 54(5), 729(1986) |
[12] | G.Rossi, I.Abbati, L.Braicovich, L.Lindan, W.E.Spicer, Solid State Communications, 39, 195(1981) |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分:
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%