热场分布对大直径CZSi单晶中氧含量的影响

材料研究学报, 2001, 15(3): 328-332. doi: 10.3321/j.issn:1005-3093.2001.03.014

热场分布对大直径CZSi单晶中氧含量的影响

任丙彦 ^1, , 张志成 ^2, , 刘彩池 ^3, , 郝秋艳 ^4,

1.河北工业大学

2.河北工业大学

3.河北工业大学

4.河北工业大学

基金项目: 河北省科技攻关项目(00213502D) 国家自然科学基金(69876006)

关键词： CZSi , 氧含量 , 热场分布 , 热对流 , 数值模拟

INFLUENCE OF TEMPERATURE DISTRIBUTION IN HEAT ZONE ON OXYGEN CONCENTRATION IN LARGE-DIAMETER CZSi SINGLE CRYSTAL

为了降低大直径CZSi单晶生长过程中氧的引入,采用不同的热场,通过最优化方法,得到了适于大直径(154mm)晶体生长的热场温度分布,使熔体的纵向温度梯度下降,热对流减小,硅单晶中氧含量降低.

参考文献

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