La-Gd-Ca-Mn-O的不可逆磁电阻效应

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基金项目: 科技部资助项目国家重点基础研究发展计划(973计划)(G19980613010)

IRREVERSIBLE MAGNETORESISTANCE EFFECT IN La-Gd-Ca-Mn-O

随掺Gd量的增加,La-Gd-Ca-Mn O化合物的金属绝缘体相变温度逐渐下降,对应的峰值电阻率大幅度增加,磁电阻比明显提高,掺入11%的Gd可以使材料的磁电阻比提高一个数量级Gd的掺入还引起材料磁电阻出现明显的不可逆效应,随掺Gd量增加,不可逆效应明显增大。

[1]	S.Jin, T.H.Tiefel, M.McCormack, R.A.Fastnacht, R.Ramesh, L.H.Chen, Science, 264, 413(1994)
[2]	P.Schiffer, A.P.Ramirez, W.Bao, S.W.Cheong, Phys. Rev. Lett., 75, 3336(1995)
[3]	P.G.Radaelli, P.E.Cox, M.Marezio, S.W.Cheong, Phys. Rev. B, 55, 3015(1997)
[4]	Q.Huang, J.W.Lynn, R.W.Erwin, A.Santoro, D.C.Dender, V.N.Smolyaninova, K.Ghosh, R.L.Greene,Phys.Rev.B, 61, 8895(2000)
[5]	S.Jin, H.M.O'Bryan, T.H.Tiefel, M.McCormack, W.W.Rhodes, Appl. Phys. Lett., 66, 382(1995)
[6]	H.Y.Hwang, S.W.Cheong, P.G.Radaelli, M.Marezio, B.Batlogg, Phys. Rev. Lett., 75, 914(1995)
[7]	A.Barman, M.Ghosh, S.Biswas, S.K.De, S.Chatterjee, J.Phys.:Condens. Matter, 10, L199(1998)
[8]	Q.Q.Cao, J.Wu, K.M.Gu, S.Y.Zhang, Y.W.Du, J.Appl.Phys., 85, 4494(1999)
[9]	J.P. Zhou, J.T.McDevitt, J.S.Zhou, H.Q.Yin, J.B.Goodenouph, Y.Gim, Q.X.Jia, Appl. Phys. Latt., 75,1146(1999)
[10]	熊光成.戴道生,吴思诚,物理,26,501(1997)(XIONG Guangcheng, DAI Daoshen, WU Sicheng, Physics, 26, 501(1997))
[11]	S.Jin, M.McCormack, T.H.Tiefel, R.Ramesh, J.Appl. Phys., 76, 6929(1994)

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