采用射频磁控溅射工艺,在K9玻璃基片上用Ag-In-SbTe合金靶制备了 Ag8In14Sb55Te23相变薄膜,将沉积态薄膜在300 ℃进行了热处理测量了薄膜的光学性质和静态存储性能,研究了溅射气压和功率对薄膜光学性质和静态存储性能的影响结果表明,适当的溅射气压和溅射功率可使Ag8In14Sb55Te23相变薄膜具有较大的反射率对比度,从而提高其存储性能。
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