用Fe膜硫化法制备了FeS2薄膜,分析了基底对FeS2薄膜晶体结构和位向分布的影响.结果表明,改变基底晶体的类型能够在一定程度上控制FeS2薄膜的晶体位向分布.FeS2薄膜在Si(100)、Si(111)和Al基底上可获得(200)方向的择优取向,在TiO2基底上可同时获得(200)及(220)择优取向,非晶玻璃基底对位向分布影响不明显.不同的基底与Fe薄膜的界面错配度不同,可改变薄膜晶体位向的分布,导致晶格畸变程度和晶粒尺寸的变化.当基底为非晶结构或界面的错配度较大时,FeS2晶体的取向分布主要受表面能和晶粒优先生长方向的控制,薄膜具有较小的晶格畸变和较细的晶粒;当基底为晶态并且界面错配度较小时,FeS2晶体取向的分布除受表面能及晶粒优先生长方向控制外,还受界面应变能的控制,此时薄膜易形成较大的晶格畸变和粗晶粒.
参考文献
| [1] | MENG Liang, HUANG Wei, TU Jiangping, LIU Maosen, Chinese Journal of Materials Research, 14(4),379(2000)(孟亮,黄伟,涂江平,刘茂森,材料研究学报,14(4),379(2000)) |
| [2] | N.Hamdadou, A.Khelil, J.C.Bernède, Mater. Chem. Phys., 78(3), 591(2003) |
| [3] | G.Smestad, A.Ennaoui, S.Fiechter, H.Tributsch, W.K.Hofmann, M.Birkholz, Sol. Energy Mater., 20(3),149(1990) |
| [4] | A.Yamamoto, M.Nakamura, A.Seki, E.L.Li, A.Hashimoto, S.Nakamura, Sol. Energy Mater. Sol. Cells,75(3～4), 451(2003) |
| [5] | C.Hopfner, K.Ellmer, A.Ennaoui, C.Pettenkofer, S.Fiechter, H.Tributsch, J.Crystal Growth, 151(3～4),325(1995) |
| [6] | G.Willeke, R.Dasbach, B.Sailer, E.Bucher, Thin Solid Films, 213(2), 271(1992) |
| [7] | L.Meng, J.P.Tu, M.S.Liu, Mater. Lett., 38(2), 103(1999) |
| [8] | L.Meng, Y.H.Liu, W.Huang, Mater. Sci. Eng., B90(1～2), 84(2002) |
| [9] | L.Meng, Y.H.Liu, L.Tian, Mater. Res. Bull., 38(6), 941(2003) |
| [10] | HUANG Wei, LIU Yanhui, MENG Liang, Acta Energiae Solaris Sinica, 23(5), 533(2002)(黄伟,刘艳辉,孟亮,太阳能学报,23(5),533(2002)) |
| [11] | D.Y.Wan, Y.T.Wang, B.Y.Wang, C.X.Ma, H.Sun, L.Wei, J. Crystal Growth, 253(1～2), 230(2003) |
| [12] | C.V.Thompson, R.Carel, Mater. Sci. Eng., B32(3), 211(1995) |
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