欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

应用扫描力显微镜(SFM)的压电响应模式观测未经抛光处理的PZT陶瓷片的电畴结构,用纵向压电响应信号和侧向压电响应信号获得PZT陶瓷材料三维电畴结构.结果表明,将样品晶粒的微形貌与SFM的纵向和侧向压电响应信号相结合,能准确表征粗大晶粒样品的三维电畴结构.用SFM可观测表面不经任何处理的陶瓷样品的电畴,不会引入表面应力等影响因素,能得到样品的原生畴结构.对原生畴结构的观察表明,对于受应力较大的晶粒,成畴的主要原因是降低应变能,而受应力较小的晶粒成畴的主要原因是降低退极化能.

参考文献

[1] JFScott, CA Paz de Araujo, Science, 246(4935), 1400(1989)
[2] PBMiller, Phys Rev, 111, 736(1958)
[3] ASawoda, RAbe, Jpn J Appl Phys, 6,699(1967)
[4] JHatano, FSuda, Ferroelectrics, 20, 256(1978)
[5] RLBihan, MMaussion, Ferroelectrics, 7, 364(1973)
[6] KFranke, JBesold, WHaessler, CSeegebarth, Surf Sci Lett, 302(1/2), L283(1994)
[7] ALGruverman, OAuciello, JHatano, HTokumoto, Ferroelectrics, 184, 11(1996)
[8] CHAhn, TTybell, LAntognazza, KChar, RHHammond, MRBeasley, OFischer, J-MTriscone, Science,276(16), 1100(1997)
[9] ZXie, EZLuo, JBXu, IHWilson, HBPeng, LHZhao, BR Zhao, Appl Phys Lett, 76(14), 1923(2000)
[10] JAChristman, SHKim, HMaiwa, JPMaria, BJRodriguez, AIKingon, RJNemanich, J Appl Phys,87(11), 8031(2000)
[11] MAbplanalp, LMEng, P Gunter, Appl Phys, A66, S231(1998)
[12] CSGanpule, VNagarajan, BKHill, ALRoytburd, EDWilliams, RRamesh, J Appl Phys, 91(3), 1477(2002)
[13] KTetabe, STakekawa, MNakamura, KKitamum, Appl Phys Lett, 81(11), 2044(2002)
[14] OAuciello, AGruverman, HTokumoto, SAPrakash, SAPrakash, SAggarwal, R Ramesh, MRS Bulletin,23, 33(1998)
[15] P Guthner, KDransfeld, Appl Phys Lett, 61, 1137(1992)
[16] GArlt, DHennings, Gde With, J Appl Phys, 58, 1619(1985)
[17] FBatllo, NFloquet, MMaglione, IEEE, 1995
上一张 下一张
上一张 下一张
计量
  • 下载量()
  • 访问量()
文章评分
  • 您的评分:
  • 1
    0%
  • 2
    0%
  • 3
    0%
  • 4
    0%
  • 5
    0%