制备了SnOx(1≤x≤2)薄膜,研究了氧化温度对薄膜形貌、结构及性质的影响.结果表明,SnOx薄膜表面光滑、厚度均匀且致密,由纳米尺寸、分布均匀的晶形颗粒组成,颗粒粒径随着氧化温度的升高而逐渐变大;SnOx薄膜电极初始可逆容量随着氧化温度的升高而降低,首次容量损失则随氧化温度的升高而增大.在温度为600℃氧化2 h,SnOx薄膜的可再充放电性能最好.
参考文献
| [1] | N.J.Dudney,Current Opinion in Solid State and Materials Science,4,479(1999) |
| [2] | B.J.Neudecker,R.A.Zuhr,J.B.Bates,J.Power Sources,81～82,27(1999) |
| [3] | W.H.Lee,H.C.Son,H.S.Moon,Y.I.Kim,J.W.Park,J.Power Sources,89,102(2000) |
| [4] | S.C.Nam,C.H.Paik,W.I.Cho,H.W.Cho,K.S.Yun,J.Power Sources,84,24(1999) |
| [5] | J.Santos-Pena,T.Brousse,L.Sanchez,D.M.Schleich,J.Power Sources,97～98,232(2001) |
| [6] | H.Huang,E.M.Kelder,L.Chen,J.Schoonman,J.Power Sources,81～82,362(1999) |
| [7] | M.Mohamedi,S.J.Lee,D.Takahashi,M.Nishizawa,Electrochimica Acta,46,1161(2001) |
| [8] | T.Brousse,R.Retoux,U.Hertench,D.M.Schleich,J.Electrochem.Soc.,145,1(1998) |
| [9] | J.P.Maranchi,A.F.Hepp,P.N.Kumt,Mater.Sci.and Eng.B,116,327(2005) |
| [10] | F.Ding,Z.W.Fu,M.F.Zhou,Q.Z.Qin,J.Electrochem.Soc.,146,3554(1999) |
| [11] | SUN Ke,ZHAO Yan,SHEN Wenfeng,ZHANG Caipei,Chinese J Material Research,11(2),180(2003)(孙克,赵岩,沈文锋,张彩碚,材料研究学报,11(2),180(2003)) |
| [12] | J.Z.Li,H.Li,Z.X.Wang,X.J.Huang,L.Q.Chen,J.Power Sources,81～82,346(1999) |
| [13] | M.Mohamedi,S.J.Lee,D.Takahashi,I.Uchida,Electrochimica Acta,46,1161(2001) |
| [14] | Y.I.Kim,C.S.Yoon,J.W.Park,J.Solid State Chemistry,160,388(2001) |
| [15] | Y.J.Park,K.S.Park,J.G.Kim,M.K.Kim,H.G.Kim,J.Power Sources,88,250(2000) |
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