用分子束外延技术在BaF2(111)衬底上生长了PbSe单晶薄膜,观测了表面形貌和微结构.结果表明,在高Se/PbSe束流比(≥0.4)条件下,PbSe按照二维层状模式生长,外延层中的应力通过位错滑移发生塑性形变而获得充分弛豫,获得的PbSe薄膜是具有单原子层平整度的表面台阶和螺旋结构;降低Se/PbSe束流比至0.2,首次在PbSe样品表面观察到规则的三角形纳米孔状结构;当Se/PbSe束流比为0时,PbSe薄膜表面出现三维岛状结构,应力只能得到部分弛豫.在BaF2(111)衬底上分子束外延生长PbSe单晶薄膜的最佳温度为450℃.
参考文献
| [1] | Norihiro Suzuki,Katsuyuki Sawai,Sadao Adachi,J.Appl.Phys.,77,1249(1995) |
| [2] | P.J.McCann,P.Kamat,Y.Li,A.Sow,H.Z.Wu,G.Belenky,L.Shterengas,J.G.Kim,R.Martinelli,J.Appl.Phys.,97,053103(2005) |
| [3] | F.Zhao,H.Wu,A.Majumdar,Z.Shi,Appl.Phys.Lett.,83,5133(2003) |
| [4] | LI Aizhen,ZHEN Yanlan,LIN Chun,Chinese Journal of Materials Research,15(1),29(2001)(李爱珍,郑燕兰,林春,材料研究学报,15(1),29(2001)) |
| [5] | M.B(o)berl,W.Heiss,T.Schwarzl,K.Wiesauer,G.Springholz,Appl.Phys.Lett.,82,23(2003) |
| [6] | M.Pinczolits,G.Springholz,G.Bauer,Appl.Phys.Lett.,73,250(1998) |
| [7] | K.Alchalabi,D.Zimin,G.Kostorz,H.Zogg,Phys.Rev.Lett.,90,026104(2003) |
| [8] | G.Springholz,A.Y.Ueta,N.Frank,G.Bauer,Appl.Phys.Lett.,69,2822(1996) |
| [9] | G.Springholz,V.Holy,M.Pinczolits,G.Bauer,Science,282,734(1998) |
| [10] | G.Springholz,N.Frank,G.Bauer,Appl.Phys.Lett.,64,2970(1996) |
| [11] | G.Springholz,N.Frank,G.Bauer,Thin Solid Films,267,15(1995) |
| [12] | D.J.Eaglesham,M.Cerullo,Phys.Rev.Lett.,64,1943(1990) |
| [13] | C.W.Snyder,B.G.Orr,D.Kessler,L.M.Sander,Phys.Rev.Lett.,66,3032(1991) |
| [14] | J.Tersoff,F.K.LeGoues,Phys.Rev.Lett.,72,3570(1994) |
| [15] | H.K.Sachar,I.Chao,P.J.McCann,X.M.Fang,J.Appl.Phys.,85,7398(1999) |
| [16] | P.Miiller,A.Fach,J.John,A.N.Tiwari,H.Zogg,G.Kostorz,J.Appl.Phys.,79,1911(1996) |
| [17] | J.E.Ayers,J.Cryst.Growth,135,71(1994) |
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