Te掺杂对SryCo4Sb12-xTex化合物热电性能的影响

无机材料学报, 2009, 24(4): 803-807. doi: 10.3724/SP.J.1077.2009.00803

Te掺杂对SryCo4Sb12-xTex化合物热电性能的影响

赵雪盈 ^1, , 柏胜强 ^2, , 李小亚 ^3, , 周燕飞 ^4, , 陈立东 ^5,

1.中国科学院,上海硅酸盐研究所,高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海,200050

2.中国科学院,上海硅酸盐研究所,高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海,200050;中国科学院研究生院,北京,100049

3.中国科学院,上海硅酸盐研究所,高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海,200050

4.中国科学院,上海硅酸盐研究所,高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海,200050

5.中国科学院,上海硅酸盐研究所,高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海,200050

基金项目: 国家自然科学基金(50702070) 国家重点基础研究发展规划(973计划)(2007CB607502)

关键词： Te掺杂 , SryCo4Sb12-xTex化合物 , 热电传输性能

Effect of Te Doping on Thermoelectric Property of SryCo4Sb12-xTex Compounds

采用熔融法结合SPS烧结技术合成了SryCo4Sb12-xTex化合物,并探讨了Te掺杂对化合物热电性能的影响.采用XRD及EPMA确定了相组成及化学成分,并测试了材料的高温热电性能.实验结果表明,虽然Te掺杂降低了Sr在CoSb3中的填充量,但是与具有相近Sr填充量的基体相比,Te掺杂提高了材料的载流子浓度和电导率,同时也提高了塞贝克系数;Te掺杂由于引入了电子-声子散射,进一步降低了材料的晶格热导率,并且随着Te掺杂量的增加,晶格热导率的降低幅度提高;对x=0.05的样品Sr0.18Co4Sb11.95Te0.05,在850K时,材料的最大ZT值接近1.0,与具有相近填充量的基体材料相比,ZT值提高了35%.

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