在室温条件下,采用射频磁控溅射的方法在石英衬底上制备了NiO薄膜,深入研究了不同溅射功率对NiO的结构、光学和电学特性的影响.随着溅射功率的升高,NiO薄膜逐渐由非晶态薄膜转变成具有(111)择优取向的晶态薄膜,同时发现NiO薄膜在可见光区透过率较大,而在紫外光区透过率减小;随着溅射功率的升高,薄膜在可见光区域和紫外区域的光学透过率均明显减小,同时禁带宽度也减小,但导电性增强.
参考文献
[1] | Sato H,Minami T,Takata S,et al.Transparent conducting p-type NiO thin-films prepared by magnetron sputtering[J].Thin Solid Films,1993,236(1-2):27-31. |
[2] | Wager J F.Transparent electronics[J].Science,2003,300(5623):1245-1246. |
[3] | Hosono H,Ohta H,Orita M,et al.Frontier of transparent conductive oxide thin films[J].Vacuum,2002,66(3-4):419-425. |
[4] | 雒向东,吴学勇,赵海阔.磁控溅射300 nm铜膜的电学性能研究[J].微电子学,2007,37(6):826-829. |
[5] | 姜德龙,王新,向嵘,等.磁控溅射制备氧化硅薄膜生长速率[J].发光学报,2009,30(6):888-891. |
[6] | 李晓冬,朱红兵,褚家宝,等.低真空下射频磁控溅射法制备ITO薄膜[J].液晶与显示,2007,22(5):553-559. |
[7] | 马仙梅,荆海,王永刚,等.氩气压强对溅射法制备Ga掺杂ZnO薄膜性能的影响[J].液晶与显示,2009,24(6):836-839. |
[8] | Lu Y M,Hwang W S,Yang J S,et al.Properties of nickel oxide thin films deposited by RF reactive magnetron sputtering[J].Thin Solid Films,2002,420-421:54-61. |
[9] | Sasia B,Gopchandrana K G,Manoja P K,etal.Preparation of transparent and semiconducting NiO films[J].Vacuum,2003,68:149-154. |
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