不同双栅极设计对a-Si:H TFT特性影响

液晶与显示 , 2016, 31(5): 460-463. doi: 10.3788/YJYXS20163105.0460

不同双栅极设计对a-Si:H TFT特性影响

林致远 ^1, , 马骏 ^2, , 林亮 ^3, , 杨成绍 ^4, , 邹志翔 ^5, , 黄寅虎 ^6, , 文锺源 ^7, , 王章涛 ^8,

1.合肥鑫晟光电科技有限公司,安徽合肥,230012

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关键词：高开口率高级超维场转换技术 , 非晶硅 , 薄膜电晶体 , 双栅极

Effect of different dual gate design on A-Si:H TFT electrical characteristics

Keywords： HADS , a-Si , TFT , dual gate

本实验于原有的单底栅a-Si TFT产品结构下,通过增加不同的顶栅极设计方式(不同a-Si覆盖比例、不同沟道几何形貌、不同沟道W/L比例)来研究双栅极设计对a-Si TFT特性的影响.实验结果显示双栅极a-Si TFT比现行单底栅a-Si TFT可以提升Ion7％、降低SS 3％、同时对Ioff以及TFT稳定性影响不明显,显示双栅极a-Si TFT设计结构具有在不提高成本以及不变更工艺流程下,达到整体提升TFT特性的效果.顶栅极TFT特性不如底栅极,推测为a-Si/PVX界面不佳使得电子导通困难导致,未来可以借由改善a-Si/PVX界面工艺提升顶栅极TFT特性.

参考文献

[1]	Peyman Servati;Arokia Nathan.Modeling of the reverse characteristics of a-Si:H TFTs[J].IEEE Transactions on Electron Devices,20025(5):812-819.
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[3]	Mark-Jan Spijkman;Kris Myny;Edsger C. P. Smits;Paul Heremans;Paul W. M. Blom;Dago M. de Leeuw.Dual-Gate Thin-Film Transistors, Integrated Circuits and Sensors[J].Advanced Materials,201129(29):3231-3242.
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[5]	Li, Xiuling;Geng, Di;Mativenga, Mallory;Chen, Yuanfeng;Jang, Jin.Effect of Bulk-Accumulation on Switching Speed of Dual-Gate a-IGZO TFT-Based Circuits[J].IEEE Electron Device Letters,201412(12):1242-1244.

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