一个证明SI-GaAs中EL2缺陷为双施主中心的方法

1.中科院半导体研究所半导体材料科学实验室,北京100083;广西师范大学,桂林541001

2.中科院半导体研究所半导体材料科学实验室,北京100083

3.中科院半导体研究所半导体材料科学实验室,北京100083

A Method to Prove El2 defect in SI-GaAs Double Doner Center

利用SI-GaAs中EL2缺陷在低温下特有的光淬灭行为, 提出了一个证明EL2缺陷是一个具有多个不同荷电状态的双施主中心的实验方法. 讨论了该方法用于测量SI-GaAs材料电学补偿度,进而对材料的热学稳定性进行评价的可能性.

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