总结了我国在MOCVD化合物半导体材料方面的最新进展, 重点为MOCVD化学、Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族半导体材料及其在光电和微波器件中的应用. 为进一步发展我国的MOCVD材料提出了若干建议.
参考文献
[1] | Peng R .[J].Acta Physiologica Hungarica,1991,70:217. |
[2] | Peng R;Wei G;Ding Y.[A].USA,1995 |
[3] | Giana A;Bougnot J et al.[J].Materials Science and Engineering A:Structural Materials Properties Microstructure and Processing,1991,9:121. |
[4] | Hu J;Peng R .[J].Materials Science and Engineering B:Solid-State Materials for Advanced Technology,1995,30:392. |
[5] | Sun S Z et al.[J].Journal of Crystal Growth,1991,113:103. |
[6] | More Y et al.[J].Journal of Crystal Growth,1989,98:174. |
[7] | Peng R.[A].Dresden,1985:125. |
[8] | Wei G;Peng R .[J].Journal of Electronic Materials,1994,23:217. |
[9] | Hu J;Peng R;Ding Y.[A].Materials,1996:161. |
[10] | Peng R;Wei G;Wu W.[A].Berlin,1997 |
[11] | Peng R;Xu F;Ding Y .[J].Journal of Crystal Growth,1991,115:618. |
[12] | Ding Y;Wei G;Peng R .[J].Journal of Electronic Materials,1994,23:221. |
[13] | Bhat L B;Ghandhi S K .[J].Journal of the Electrochemical Society,1983,131:1923. |
[14] | Wu W;Yan L;Peng R .[J].Journal of Applied Physics,1995,78:897. |
[15] | 严六明;吴伟;陈念贻;彭瑞伍 .[J].半导体学报,1995,16:607. |
[16] | Cherng M J;Jen H R;Lerson C A;Stringfellow G B .[J].Journal of Crystal Growth,1986,77:408. |
[17] | Hu J;Peng R .[J].Journal of Crystal Growth,1995,151:26. |
[18] | 高鸿楷.[A].中国有色金属学会,1995:26. |
[19] | 钱毅,郑婉华,郑联喜,张霞,胡雄伟,陈良惠,王启明.用MOCVD在非平面衬底上生长的量子阱、量子线及其光学性质[J].半导体学报,1994(04):289. |
[20] | 祝进田,胡礼中,刘式墉.Ⅲ族铟源对LP-MOVPE方法生长 In1-xGaxAs 材料的影响[J].半导体学报,1994(06):393. |
[21] | 马晓宇 等.[J].半导体学报,1996,17:397. |
[22] | 张权生 等.[J].半导体学报,1996,17:812. |
[23] | 余庆选;彭瑞伍;励翠云 .[J].半导体学报,1995,16:32. |
[24] | Xu X et al.[J].Rare Metals,1993,12:57. |
[25] | Wei G;Peng R .[J].Rare Metals,1993,12:103. |
[26] | Zhang B et al.[J].Rare Metals,1995,14:296. |
[27] | Wu W;Peng R;Wei G .[J].Rare Metals,1993,12:33. |
[28] | 胡金波 .MOCVD GaN材料的生长及其物理化学的研究[D].中国科学院上海冶金研究所,1997. |
[29] | 张国义.[A].中国有色金属学会,1995 |
[30] | 张荣 等.[J].半导体学报,1996,18:91. |
[31] | 陆大成,汪度,王晓晖,董建荣,刘祥林,高维滨,李成基,李蕴言.GaN 的 MOCVD 生长[J].半导体学报,1995(11):831. |
[32] | 童国珍.[A].中国有色金属学会,1995:50. |
[33] | 丁永庆,彭瑞伍,韦光宇,陈记安,李贤春,张玉平,刘克岳,赵振香.热壁MOCVD Hg1-xCdxTe中的Hg蒸汽压和分配比[J].半导体学报,1994(04):264. |
[34] | 刘克岳;陈纪安.[A].中国有色金属学会,1995:60. |
[35] | 吕有明 等.[J].发光学报,1994,13:179. |
[36] | 江风益.[A].中国有色金属学会,1995:61. |
[37] | 李同年.[A].中国有色金属学会,1995:77. |
[38] | 熊彪克.[A].中国有色金属学会,1995:90. |
[39] | 郑联彭 等.[J].半导体学报,1996,17:392. |
[40] | 钱毅,张敬明,徐遵图,陈良惠,王启明,郑联喜,胡雄伟.Two-Dimensional Quantum Well Wire Semiconductor Laser Arrays[J].半导体学报,1996(02):155. |
[41] | 张济志 等.[J].半导体学报,1996,17:213. |
[42] | 高鸿楷 等.[J].稀有金属,1993,17:382. |
[43] | 杜福生.[A].中国有色金属学会,1995:79. |
[44] | 彭瑞伍;韦光宇.先进材料进展[M].北京:科学出版社,1995:231. |
[45] | 袁风坡;章其麟.[A].中国有色金属学会,1995:36. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分:
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%