通过1200℃、1.5 h急冷热处理实验, 研究了硅中位错对高温塑性形变的影响及热处理过程中位错密度的变化. 实验结果表明, 硅中原有位错密度越大或热处理急冷温度越高, 均使塑性形变更加严重. 位错密度为0.4~2×103 cm-2的硅片的弯曲度变化是无位错硅片的3倍多, 1200℃急冷产生的形变量是770℃急冷的4倍. 无位错硅片在高温热处理中会产生大量位错,且急冷温度越高, 产生的位错越多. 热处理中区熔硅片容易在边缘产生位错星形结构.
参考文献
[1] | Thebault D;Jastrzebaki L .[J].RCA Review,1980,41:592. |
[2] | 谢书银;石志仪;陈中祥.[J].半导体技术,1997(05):24. |
[3] | GB/T6619-1995, 硅片弯曲度测试方法[S].北京:中国标准出版社,1995. |
[4] | 佘思明.半导体硅材料学[M].长沙:中南工业大学出版社,1992:477. |
[5] | Imai M .[D].Ph D Thesis, Tohoku University,1982. |
[6] | Snmino K;Haraka H .[J].Philosophical Magazine A:Physics of Condensed Matter:Structure,Defects and Mechanical Properties,1981,44:1319. |
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