SOI键合材料的TEM研究

稀有金属, 1998, 22(4): 274-276. doi: 10.3969/j.issn.0258-7076.1998.04.008

SOI键合材料的TEM研究

王敬 ^1, , 屠海令 ^2, , 刘安生 ^3, , 周旗钢 ^4, , 朱悟新 ^5, , 张椿 ^6,

1.北京有色金属研究总院

2.北京有色金属研究总院

3.北京有色金属研究总院

4.北京有色金属研究总院

5.北京有色金属研究总院

6.北京有色金属研究总院

关键词：硅片键合 , SOI , 界面 , 微结构

TEM Study on Bonded SOI Materials

用横断面透射电子显微术 (TEM) 研究了用键合方法获得的SOI材料的界面结构.绝缘层二氧化硅和硅膜的厚度非常均匀, Si膜/SiO2以及SiO2/Si基体的界面平直且结合紧密,在界面上没有观察到缺陷和孔洞.

参考文献

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[2]	Gosele U;Stenzel H;Reiche M;Martini T, Steinkirchner H Tong Q Y. Richter H, Kittler M Claeys C.Proceedings of Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology[C].Berlin, Germany Solid State Phenomena,1996:33.
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