(Ga,In)As半导体MOVPE生长过程中源物质的热分解及半导体碳污染的分析

稀有金属, 1999, (3): 209-213. doi: 10.3969/j.issn.0258-7076.1999.03.012

(Ga,In)As半导体MOVPE生长过程中源物质的热分解及半导体碳污染的分析

李长荣 ^1, , 王冈 ^2, , 李静波 ^3, , 张维敬 ^4,

1.北京科技大学材料科学与工程学院,北京,100083

2.北京有色金属研究总院,北京,100088

3.北京科技大学材料科学与工程学院,北京,100083

4.北京科技大学材料科学与工程学院,北京,100083

基金项目: 国家科技攻关项目

关键词： (Ga,In)As半导体 , 相平衡 , 热分解 , 碳污染

Analysis of Pyrolysis of Precursor and Carbon Contamination in MOVPE Process of (Ga,In)As Alloy Semiconductor

运用相平衡分析的方法,对(Ga,In)As半导体MOVPE生长过程中源物质热分解后的气相物种分压进行了分析,得到了沉积物种的生成率随各生长参数的变化规律,同时对气相物种分压与半导体碳污染的关系也进行了分析.

参考文献

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