中子辐照GaAs缺陷的退火行为研究

稀有金属, 1999, 23(5): 336-339. doi: 10.3969/j.issn.0258-7076.1999.05.004

中子辐照GaAs缺陷的退火行为研究

刘键 ^1, , 王佩璇 ^2, , 张灶利 ^3,

1.中国科学院高能物理研究所,北京100080

2.北京科技大学材料物理系,北京100083

3.北京科技大学材料物理系,北京100083

关键词：中子辐照 , GaAs , 缺陷

Study on Rapid Annealing Behavior of GaAs Defects Induced by Neutron Irradiation

采用霍尔测量、沟道卢瑟福背散射 (沟道RBS) 以及低温光荧光方法对中子辐照GaAs缺陷的快速退火行为进行了研究. 嬗变杂质锗未能全部激活的原因之一是部分锗原子占据砷位形成受主. 在快速退火过程中可形成反位缺陷GaAs(Ev+200 meV) 以及复合缺陷IGa-VAs.

参考文献

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