硅/硅键合新方法的研究

1.河北工业大学微电子研究所,天津300130

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关键词：硅 , 锗 , 键合 , 机理

Study of New Way about Si/Si Bonding

研究成功用Ⅳ族元素锗进行硅/硅键合的一整套新技术(代替通用的亲水法);实现了键合层无孔洞,边沿键合率达98%以上,键合强度达2156Pa以上,并通过在锗中掺入与低阻同型号的杂质,实现了应力补偿.

[1]	詹娟.[J].半导体杂志,1996(04):10.
[2]	Bengtsoon S;Engstrom Q .[J].Journal of Applied Physics,1989,66:1231.
[3]	People R;Bean J C .[J].Applied Physics Letters,1985,47(02):322.

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