磁控溅射法在立方织构镍基底上制备CeO2缓冲层

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基金项目: 中国科学院资助项目国家超导技术联合研究开发中心资助项目

Fabrication of CeO2 Buffer Layer on Cube Textured Nickle Substrate by Magnetron Sputtering

论述了具有立方织构的金属镍基底上, 采用射频磁控溅射的方法制备CeO2缓冲层. 以Ar/H2混合气体作为溅射气体, 有效地抑制了NiO的形成, 获得纯c轴取向的CeO2薄膜. X射线φ扫描、ω扫描和极图的测试分析表明, CeO2薄膜在平面内和垂直于膜面方向晶粒都是有序排列的, 具有良好的立方织构.

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