外吸除用硅片背面加工技术的研究

1.上海市计量测试技术研究院,

2.上海市计量测试技术研究院,

3.上海硅材料厂,

4.上海硅材料厂,

5.上海硅材料厂,

6.复旦大学材料研究院,

Study on Processing Technique of Silicon Wafer Back Surface of for External Gettering

用 SEM、TEM 和光学显微镜研究了硅片背面的机械损伤(包括软损伤)和多晶硅的晶格结构,以及热处理过程中晶格结构和缺陷的演化,探索了吸杂的机理.实验结果表明,用本技术能减少S坑密度,提高硅片产生寿命,对金、铜等金属杂质有吸杂的效果.

[1]	F47-84 standard test method for crystallographic perfection of silicon by preferential etch techniques(Discontinued 1998-Replaced by F1725[S].,1998.
[2]	ASTM standard F46-84 standard test method for detection of oxidation induced defects in polished silicon wafers Discontinued-Replaced by F1727[Z].,1998.
[3]	陈一;宗祥福;李积和.98全国半导体硅材料学术会议论文集[M].上海:中国有色金属学会半导体学术委员会主办,1998
[4]	闵靖.多晶硅吸杂效能的研究[J].固体电子学研究与进展,1995(03):293.
[5]	闵靖.硅外延S坑缺陷的研究[J].固体电子学研究与进展,1999(02):221.

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