研究了采用定向凝固法制备多晶硅锭的凝固速率与表面形貌、晶粒尺寸以及显微组织缺陷的关系. 找出了晶锭不出现细晶的临界生长速度, 并对固液界面形状进行了探讨. 多晶硅锭的制备工艺主要包括定向凝固法及浇铸法. 采用定向凝固法制备多晶硅锭, 通过改变降埚速率控制晶体生长速度, 进而找出晶粒大小与降埚速率的关系; 同时通过改变石英坩埚、石墨托厚度, 冷源半径等几何参数来达到控制固-液界面形状的目的.
参考文献
| [1] | Zhao Yuwen .[J].Solar Energy Materials and Solar Cells,2001,67:663. |
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| [4] | Ciszek T F;Wang T H.Silicon defect and impurity studies using controlled samples[A].Solar Energy Conference,Spain,1997:396. |
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