钽在集成电路中的应用

稀有金属, 2003, 27(1): 28-34. doi: 10.3969/j.issn.0258-7076.2003.01.005

钽在集成电路中的应用

潘伦桃 ^1, , 李彬 ^2, , 郑爱国 ^3, , 吕建波 ^4, , 李海军 ^5, , 王秋迎 ^6,

1.宁夏东方钽业股份有限公司,宁夏,石嘴山,753000

2.宁夏东方钽业股份有限公司,宁夏,石嘴山,753000

3.宁夏东方钽业股份有限公司,宁夏,石嘴山,753000

4.宁夏东方钽业股份有限公司,宁夏,石嘴山,753000

5.宁夏东方钽业股份有限公司,宁夏,石嘴山,753000

6.宁夏东方钽业股份有限公司,宁夏,石嘴山,753000

关键词：钽 , 阻挡层 , 钽溅射靶 , 化学气相沉积

Application of Tantalum to LSIC

介绍了在硅基片上用钽溅射靶溅射沉积和用钽的化合物气相化学沉积钽基膜(金属钽、碳化钽、氮化钽、硅化钽、氮化硅化钽、氮化碳化钽)作为集成电路中防止铜向基片硅中扩散的阻挡层, 介绍了钽溅射靶的技术要求, 加工方法以及化学气相沉积钽基薄膜的方法.

参考文献

[1]	Laurila T;Zeng K;Kivilahti J K.[J].Microelectronic Engineering,2002(60):71.
[2]	Li C Y;He Lei;Wu J J et al.[J].Surface Review and Letters,8(05):459.
[3]	中川贤俊;户濑诚人 .[P].特开 2002-115044,2002.
[4]	Pramanick Shekhar .[P].Iacoponi John A.US 6362526,2002.
[5]	Tomi Laurila;Kejun Zeng;Joma K et al.[J].Journal of Materials Research,2001,16(10):2939.
[6]	Ivanov E .[J].Thin Solid Films,1998,332(1/2):325.
[7]	Sundarrajan Arvind;Chang Tony P;Yao Tse-yong et al.[P].WO 2002-007198,2002.
[8]	Babu S V;Li Y .[Z].A. Jindal, JOM 3,2001.
[9]	Li Y;Hariharaputhriran M;Babu S V .[J].Journal of Materials Research,2001,16(04):1066.
[10]	Miller Michael A;Chang Tony;Ding Peijun et al.[P].WO:2002011187A2,2002.
[11]	Kim Jaeyeon .[P].WO 2002-016667,2002.
[12]	新藤裕一朗;山口俊一朗 .[P].特开 2000-212678,2000.
[13]	铃木幸伸;高阪太郎 .[P].特开 2001-303240,2001.
[14]	石上隆;藤冈直美 .[P].特开 2001-335923,2001.
[15]	Stephen P .[P].Turner US 6 331,233 B1,2001.
[16]	Michaluk christopher,A;Maguire, James, D .[P].Wo 00/31310 2 June,2000.
[17]	Liu L;Gong H;WANG Y .[J].Materials Science and Engineering,C16(1-2):85.
[18]	Han Gang Yasugi-shi;Tottori-Ken .[P].Nakamura Hideki EP 1066899,2001.
[19]	叶野治;入间田修一 .[P].特开平11-6060,1999.
[20]	KUMAR P;Jepson P R;Uhlenhut H.Int Symposium on Tantalum and Niobium[M].San Francisco USA
[21]	Christopher A.Michaluk Int Symposium on Tantalum and Niobium:75～85 Oct. 22nd - 25th[J].San Francisco USA,2000
[22]	CHRISTOPHER A;Michaluk J .[J].electronic materials,2002,31(01):2.
[23]	盛满正同;松永守央 .[P].特开2001-279486,2001.
[24]	Turner Stephen P .[P].US 6331233B118,2001.
[25]	中川贤俊;井上和裕 .[P].特开2001-335919,2001.
[26]	Senaki;yoshihide;Hochberg .[P].Arthur Kenneth US. 6319567,2001.
[27]	新乐浩一朗;白间英树 .[P].特开2001-313272,2001.
[28]	Hautala John .[P].J.WO 00/65123,2000.
[29]	Hautala;John .[P].J.WO 00/65124,2000.
[30]	Hautala;John .[P].J.WO 00/65126,2000.
[31]	Barry C Arkles;Alain F Kaloyeros .[P].US 5919531,1999.
[32]	Chen Xiaomen;Gregory G Perteson;Cindy Goldberg .[J].Journal of Materials Research,1999,14(05)
[33]	町田英明;星野麻子 .[P].特开2002-69640,2002.
[34]	Lin Chung-shi;Shu Shaulin .[P].USP 6140231,2000.
[35]	Yang Zongxian;Wu Ruqian.[J].Surface Science,2000(469):36.
[36]	Anon .[J].CVD integrates inorganics R and D(Cahners),2001,43(07):19.
[37]	S V Banu;Y Li;A Jindal.[J].Journal of The Minerals,Metals & Materials Society,2001(03):50.
[38]	冠武士上野友则;村田英夫 .[P].特开2001-342506,2001.

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网

钽在集成电路中的应用

Application of Tantalum to LSIC

参考文献