用透射电子显微镜、扫描电镜对锑化镓材料切、磨、抛等加工工艺引入的表面损伤进行观察和检测. 结果表明: 切割加工是锑化镓单晶晶片表面损伤层引入的主要工序;锑化镓单晶切割片表面极不平整,有金刚砂所引起的较粗桔皮皱纹;其表面损伤层深度≤30 μm;双面研磨的锑化镓晶片表面仍有较粗桔皮皱纹,但比切割片的要细,而且桔皮皱纹的深浅随磨砂(Al2O3)粒径的减小而变细变浅;晶片的表面损伤层深度(≤5 μm)也随着磨砂粒径的减小而减小. 一般情况下,其损伤层的深度约为磨砂粒径的1/2. 机械化学抛光加工的锑化镓晶片表面的SEM像观察不到桔皮皱纹;其损伤层深度约55 nm.
参考文献
[1] | Caneau C;Srigastara A K;Dentai A G et al.[J].Electronics Letters,1985,21:815. |
[2] | Eglash S J;Choi H K;Turner G W .[J].Journal of Crystal Growth,1991,111:669. |
[3] | Astles M;Hill A;Williams A J et al.[J].Journal of Electronic Materials,1986,15:41. |
[4] | Hilsum C;Rees H D .[J].Electronics Letters,1970,6:277. |
[5] | Bowers J E;Srivastava A K;Burrus C A et al.[J].Electronics Letters,1986,22:137. |
[6] | Zyskind J L;Burrus C A;Caneau C et al.[J].Proceedings of SPIE,1986,722:200. |
[7] | Frass L M.[A].Kyoto,1990 |
[8] | Shannon L C;Horalm M.Semi-insulating Ⅲ-Ⅴ Materials[J].Toronto,1990:359. |
[9] | Faust J W .[J].Journal of Electrochem Tech,1964,2:339. |
[10] | Magee T J;Sanot L T;Whick L R .[R].ARACOR Technical Report,1984. |
[11] | Xiong Yiming .[J].THIN SOLID FILMS,1992,220:303. |
[12] | Mcguigan S;Horalm M .[J].Journal of Crystal Growth,1986,76:217. |
[13] | 陈坚邦,钱嘉裕,杨钧.TEM观察砷化镓晶片损伤层[J].稀有金属,1998(05):392-395. |
[14] | 董国全,万群,陈坚邦.GaAs抛光表面损伤的RBS研究[J].稀有金属,1998(04):317. |
[15] | Knudsen J F .[J].X-Ray Anal,1964,7:159. |
[16] | 许顺生,徐景阳,谭儒环.用X射线双晶及三晶衍射仪测量晶片的研磨和抛光损伤[J].半导体学报,1982(02):95. |
[17] | 曹福年,卜俊鹏,吴让元,郑红军,惠峰,白玉珂,刘明焦,何宏家.X射线回摆曲线定量检测SI-GaAs抛光晶片的亚表面损伤层厚度[J].半导体学报,1998(08):635. |
[18] | 郑红军,卜俊鹏,曹福年,白玉柯,吴让元,惠峰,何宏家.砷化镓晶片表面损伤层分析[J].稀有金属,1999(04):241-244. |
[19] | 陈坚邦,郑安生.LEC <111> 磷化镓晶片缺陷的观察[J].稀有金属,1999(05):340-343. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分:
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%