通过透射电子显微镜观察到注氢硅片中存在损伤带, 损伤带的位置和注入氢的分布几乎一致, 推断损伤带是由于氢的注入引起的. 损伤带内主要以平行于正表面的{111}面状缺陷为主, 另外还有斜交于正表面的{111}面状缺陷以及{100}面状缺陷, 这是由于氢朝能量低的位置的迁移聚集而形成的. 在损伤带的中间还可见到晶格紊乱团块和空洞, 这是由于损伤带中间存在高浓度的氢和高密度的面状缺陷而导致形成的.
参考文献
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