对在450 ℃条件下进行1 h普通烧结制得的纳米GaP块体(～51 nm)的相对介电常数(εr)、介电损耗(tgδ)与频率(f)、温度(T)的关系进行了研究. 测量结果表明: 烧结温度对纳米GaP块体的相对介电常数和介电损耗具有显著的影响; 几种介电特性和测量频率、温度关系曲线的特征符合由德拜介电极化理论进行分析得出的结论. 在介电特性温度谱图上出现极值, 表明在外电场作用下纳米GaP块体存在界面极化、转向极化和松弛极化等几种主要极化机制; 同时, 介电特性温度谱图上附加峰的出现预示着纳米GaP块体存在某种复合缺陷.
参考文献
| [1] | 张立德;牟季美.纳米材料与纳米结构[M].北京:科学出版社,2001:326. |
| [2] | Cui D L;Pan J Q;Zhang Z C.The stability and surface reactivity of gallium phosphide nanocrystals[J].Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials,2000:145. |
| [3] | 崔得良,郝霄鹏,于晓强,史桂霞,徐现刚,蒋民华.利用纳米晶的催化性质合成二联苯[J].中国科学B辑,2001(05):451-455. |
| [4] | 李翰如.电介质物理导论[M].成都:成都科技大学出版社,1990 |
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