热等静压(HIP)对CVDZnS光学性能的影响

稀有金属, 2003, 27(6): 706-708. doi: 10.3969/j.issn.0258-7076.2003.06.011

热等静压(HIP)对CVDZnS光学性能的影响

付利刚 ^1, , 苏小平 ^2, , 余怀之 ^3, , 霍承松 ^4, , 宋睿丰 ^5, , 石红春 ^6, , 鲁泥藕 ^7,

1.北京有色金属研究总院红外材料研究所,北京,100088

2.北京有色金属研究总院红外材料研究所,北京,100088

3.北京有色金属研究总院红外材料研究所,北京,100088

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6.北京有色金属研究总院红外材料研究所,北京,100088

7.北京有色金属研究总院红外材料研究所,北京,100088

基金项目: 国家科技攻关项目(MKPT-01-137)

关键词：化学气相沉积ZnS(CVD) , 热等静压(HIP) , 透过率

Effects of Heat Isostatic Pressing on Optical Properties of ZnS Prepared by Chemical Vapor Deposition

对化学气相沉积(CVD)ZnS经热等静压(HIP)处理前后在光学透过率等方面的改变进行了比较分析. 针对温度、原生样品厚度等因素对样品性能的影响做了详细阐述. 实验表明, 热等静压对原生CVDZnS光学性能有促进作用, 随处理温度的升高, 透过率在1010～1050℃之间出现峰值; 原生样品厚度的影响不容忽视, 导热均匀的薄样品晶粒均匀且尺寸较大, 光学及力学性能要好于厚样品.

参考文献

[1]	Savage J A;Lewis K L;Pitt A M .[J].SPIE,1984,505:47.
[2]	Iwata H;Suzuki S;Sasaki Y .[J].Journal of Crystal Growth,1992,125:425.
[3]	Lewis J L;Arthur G S .[J].Journal of Crystal Growth,1984,66:125.
[4]	Lewis K L;Pitt A M;Savage J A .[J].SPIE,1986,683:64.
[5]	Yu Huaizhi;Song Ruifeng .[J].SPIE,2000,4231:224.
[6]	Willingham C B;Pappis J .[P].U K Patent Apptent Application G B 2090237A,1982.

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Effects of Heat Isostatic Pressing on Optical Properties of ZnS Prepared by Chemical Vapor Deposition

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