空间用GaAs/Ge太阳电池器件工艺研究

稀有金属, 2004, 28(3): 508-510. doi: 10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.016

空间用GaAs/Ge太阳电池器件工艺研究

陆剑峰 ^1, , 张忠卫 ^2, , 池卫英 ^3, , 王亮兴 ^4, , 陈鸣波 ^5, , 彭冬生 ^6,

1.上海空间电源研究所,上海,200233

2.上海空间电源研究所,上海,200233

3.上海空间电源研究所,上海,200233

4.上海空间电源研究所,上海,200233

5.上海空间电源研究所,上海,200233

6.上海空间电源研究所,上海,200233

关键词：太阳电池 , GaAs/Ge , 器件工艺

Fabrication Technology of GaAs/Ge Solar Cells for Space Use

报道了对GaAs/Ge太阳电池器件工艺的研究结果.采用细栅厚电极正胶剥离技术制备细栅厚电极,栅线宽度小于15 μm,厚度在5 μm以上;采用NH4OH/H2O2选择性腐蚀液体系去除GaAs帽子层; 采用真空蒸发制备TiO2/SiO2双层减反射膜,电流密度增益可达25%以上;研制出平均效率达到19%(AM0,1 s,25 ℃)以上的GaAs/Ge太阳电池.

参考文献

[1]	Takahashi K.;Unno T.;Kuma S.;Yamada S. .Characteristics of GaAs solar cells on Ge substrate with a preliminary grown thin layer of AlGaAs[J].Solar Energy Materials and Solar Cells: An International Journal Devoted to Photovoltaic, Photothermal, and Photochemical Solar Energy Conversion,1998(1/4):169-176.
[2]	Chang K I;Yeh Y CM;Iles P A.Heterostructure GaAs/Ge Solar Cells[A].IEEE,NY,1987:273.
[3]	Wojtczuk S;Tobin S;Sanfacon M et al.Monolithic two-terminal GaAs/Ge Tandem space concentration cells[A].,1991,173

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