用氧化铬(Cr2O3)作补偿掺杂剂、 LEC法生长的GaAs窗口晶体,容易满足高阻补偿条件,碳、硅两种主要的残余杂质得到有效抑制,获得低自由载流子光吸收的优质GaAs红外激光出口材料.补偿掺杂剂氧化铬(Cr2O3)剂量为99.9999% Ga和99.9999% As量的优选范围是0.01%～0.04% (质量分数).室温下的自由载流子浓度低于5×106 cm-3,对光吸收系数的贡献可以忽略.轻掺氧化铬高阻GaAs晶体具有良好的红外透射特性; 10.6 μm处激光量热法测量的红外光吸收系数约为 1.4×10-3 cm-1.
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