GaAs/AlGaAs双量子阱结构的子带光学吸收

1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050

2.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050

3.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050

基金项目: 上海市科技发展基金(011661075) 国家自然科学基金(2001CCA02800) 国家科研项目(G20000683) 国家自然科学基金

Intersubband Optical Absorption in GaAs/AlGaAs Double Quantum Well Structure

利用微观运动方程计算了超快红外泵浦光引起的半导体双量子阱结构的子带间极化.基于自洽场理论,可以求出瞬态探测光吸收系数.这一方法没有采用稳态假设.计算了不同泵浦强度和泵浦探测延时的吸收系数.利用这一模型可以计算半导体微结构中的相干载流子的控制问题.

[1]	Dignam MM. .Excitonic Bloch oscillations in a terahertz field[J].Physical Review.B.Condensed Matter,1999(8):5770-5783.
[2]	Huang DH.;Cardimona DA. .Intersubband laser coupled three-level asymmetric quantum wells: new dynamics of quantum interference[J].Journal of the Optical Society of America, B. Optical Physics,1998(5):1578-1584.
[3]	Haug H;Koch S W.Quantum Theory of the Optical Properties of Semiconductors 3rd[M].Edition,1994

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